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SUD50P06-15L-E3产品详细规格

规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,000
FET 型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	50A
Rds（最大）@ ID，VGS	15 mOhm @ 17A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	165nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	4950pF @ 25V
功率 - 最大	3W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	TO-252, (D-Pak)
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3DPAK
渠道类型	P
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	60 V
最大连续漏极电流	50 A
RDS -于	15@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	15 ns
典型上升时间	70 ns
典型关闭延迟时间	175 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±20
包装宽度	6.22(Max)
PCB	2
最大功率耗散	3000
最大漏源电压	60
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	15@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	DPAK
标准包装名称	DPAK
最高工作温度	175
包装长度	6.73(Max)
引脚数	3
包装高度	2.39(Max)
最大连续漏极电流	50
标签	Tab
铅形状	Gull-wing
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	50A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	3V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	60V
供应商设备封装	TO-252, (D-Pak)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	15 mOhm @ 17A, 10V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	3W
输入电容（Ciss ） @ VDS	4950pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	165nC @ 10V
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	SUD50P06-15L-E3CT
工厂包装数量	2000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	P-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	50 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	15 mOhms
功率耗散	136 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-252-3
上升时间	70 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
下降时间	175 ns
Continuous Drain Current Id	:-50A
Drain Source Voltage Vds	:-60V
On Resistance Rds(on)	:0.012ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:-10V
Threshold Voltage Vgs	:-1V
功耗	:136W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:TO-252AA
No. of Pins	:3
MSL	:MSL 1 - Unlimited
Weight (kg)	0.0005
Tariff No.	85412900

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