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IC集成电路 > 标准逻辑 > SI4425DDY
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| SI4425DDY |
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商品类别： |
标准逻辑 |
封装/规格： |
SOP |
产品价格： |
￥1.80 元 |
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品牌产地： |
VISHAY |
数据手册： |
暂无手册资料
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SI4425DDY-T1-GE3产品详细规格| 规格书 | 
| | Rohs | Lead free / RoHS Compliant | | 标准包装 | 2,500 | | FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | | FET特点 | Standard | | 漏极至源极电压（VDSS） | 30V | | 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 19.7A | | Rds（最大）@ ID，VGS | 9.8 mOhm @ 13A, 10V | | VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | | 栅极电荷（Qg）@ VGS | 80nC @ 10V | | 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2610pF @ 15V | | 功率 - 最大 | 5.7W | | 安装类型 | Surface Mount | | 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | | 供应商器件封装 | 8-SOICN | | 包装材料 | Tape & Reel (TR) | | 包装 | 8SOIC N | | 渠道类型 | P | | 通道模式 | Enhancement | | 最大漏源电压 | 30 V | | 最大连续漏极电流 | 13 A | | RDS -于 | 9.8@10V mOhm | | 最大门源电压 | ±20 V | | 典型导通延迟时间 | 52|12 ns | | 典型上升时间 | 41|9 ns | | 典型关闭延迟时间 | 36|42 ns | | 典型下降时间 | 15|9 ns | | 工作温度 | -55 to 150 °C | | 安装 | Surface Mount | | 标准包装 | Tape & Reel | | 最大门源电压 | ±20 | | 包装宽度 | 4(Max) | | PCB | 8 | | 最大功率耗散 | 2500 | | 最大漏源电压 | 30 | | 欧盟RoHS指令 | Compliant | | 最大漏源电阻 | 9.8@10V | | 每个芯片的元件数 | 1 | | 最低工作温度 | -55 | | 供应商封装形式 | SOIC N | | 标准包装名称 | SOIC | | 最高工作温度 | 150 | | 包装长度 | 5(Max) | | 引脚数 | 8 | | 包装高度 | 1.5(Max) | | 最大连续漏极电流 | 13 | | 封装 | Tape and Reel | | 铅形状 | Gull-wing | | P（ TOT ） | 5.7W | | 匹配代码 | SI4425DDY-T1-GE3 | | R（ THJC ） | n.s.K/W | | LogicLevel | YES | | 单位包 | 2500 | | 标准的提前期 | 15 weeks | | 最小起订量 | 2500 | | Q（克） | 80nC | | LLRDS （上） | 0.0165Ohm | | 汽车 | NO | | LLRDS （上）在 | -4,5V | | 我（D ） | -19,7A | | V（ DS ） | -30V | | 技术 | TrenchFET | | 的RDS（on ） at10V | 0.0098Ohm | | 无铅Defin | RoHS-conform | | FET特点 | Standard | | 安装类型 | Surface Mount | | 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Ta), 19.7A (Tc) | | 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | | 漏极至源极电压（Vdss） | 30V | | 供应商设备封装 | 8-SOIC N | | 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 9.8 mOhm @ 13A, 10V | | FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | | 功率 - 最大 | 5.7W | | 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2610pF @ 15V | | 闸电荷（Qg ） @ VGS | 80nC @ 10V | | 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | | RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant | | 其他名称 | SI4425DDY-T1-GE3CT | | 工厂包装数量 | 2500 | | 产品种类 | MOSFET | | 晶体管极性 | P-Channel | | 配置 | Single Quad Drain Triple Source | | 源极击穿电压 | +/- 20 V | | 连续漏极电流 | 13 A | | 安装风格 | SMD/SMT | | RDS（ON） | 9.8 mOhms | | 功率耗散 | 2.5 W | | 最低工作温度 | - 55 C | | 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow | | 零件号别名 | SI4425DDY-GE3 | | 上升时间 | 41 ns, 9 ns | | 最高工作温度 | + 150 C | | 漏源击穿电压 | - 30 V | | RoHS | RoHS Compliant By Exemption | | 下降时间 | 15 ns, 9 ns | | Continuous Drain Current Id | :-19.7A | | Drain Source Voltage Vds | :-30V | | On Resistance Rds(on) | :8100µohm | | Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V | | Threshold Voltage Vgs | :-1.2V | | Weight (kg) | 0 | | Tariff No. | 85412900 | | 功耗 | :5.7W | | Operating Temperature Min | :-55°C | | Operating Temperature Max | :150°C | | Transistor Case Style | :SOIC | | No. of Pins | :8 | | MSL | :MSL 1 - Unlimited | | Current Id Max | :-19.7A | | 工作温度范围 | :-55°C to +150°C | | Voltage Vgs Max | :20V |
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