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| FDS6994S |
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商品类别： |
电源管理 |
封装/规格： |
SOP |
产品价格： |
￥1.10 元 |
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品牌产地： |
FAIRCHILD |
数据手册： |
暂无手册资料
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FDS6994S产品详细规格| 规格书 | 
| | 文档 | Mold Compound 12/Dec/2007
| | Rohs | Lead free / RoHS Compliant | | 标准包装 | 2,500 | | FET 型 | 2 N-Channel (Dual) | | FET特点 | Logic Level Gate | | 漏极至源极电压（VDSS） | 30V | | 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.9A, 8.2A | | Rds（最大）@ ID，VGS | 21 mOhm @ 6.9A, 10V | | VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA | | 栅极电荷（Qg）@ VGS | 12nC @ 5V | | 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 800pF @ 15V | | 功率 - 最大 | 900mW | | 安装类型 | Surface Mount | | 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | | 供应商器件封装 | 8-SOICN | | 包装材料 | Tape & Reel (TR) | | 包装 | 8SOIC N | | 通道模式 | Enhancement | | 最大漏源电压 | 30 V | | 最大连续漏极电流 | 6.9@Q 1|8.2@Q 2 A | | RDS -于 | 21@10V@Q 1|15@10V@Q 2 mOhm | | 最大门源电压 | ±16 V | | 典型导通延迟时间 | 11@Q 1|11@Q 2 ns | | 典型上升时间 | 7@Q 1|8@Q 2 ns | | 典型关闭延迟时间 | 27@Q 1|50@Q 2 ns | | 典型下降时间 | 4@Q 1|17@Q 2 ns | | 工作温度 | -55 to 150 °C | | 安装 | Surface Mount | | 标准包装 | Tape & Reel | | FET特点 | Logic Level Gate | | 封装 | Tape & Reel (TR) | | 安装类型 | Surface Mount | | 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.9A, 8.2A | | 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA | | 漏极至源极电压（Vdss） | 30V | | 供应商设备封装 | 8-SOIC N | | 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 21 mOhm @ 6.9A, 10V | | FET型 | 2 N-Channel (Dual) | | 功率 - 最大 | 900mW | | 输入电容（Ciss ） @ VDS | 800pF @ 15V | | 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 5V | | 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | | RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant | | 其他名称 | FDS6994SFSCT | | 类别 | Power MOSFET | | 渠道类型 | N | | 配置 | Dual, Dual Drain | | 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | | 身高 | 1.5mm | | 长度 | 5mm | | 最大漏源电阻 | 0.015 (Transistor 2) Ω, 0.021 (Transistor 1) Ω | | 最高工作温度 | +150 °C | | 最大功率耗散 | 2 W | | 最低工作温度 | -55 °C | | 每个芯片的元件数 | 2 | | 包装类型 | SOIC N | | 引脚数 | 8 | | 典型栅极电荷@ VGS | 25 nC @ 5 V (Transistor 2), 8 nC @ 5 V (Transistor 1) | | 典型输入电容@ VDS | 2815 pF @ 15 V (Transistor 2) V, 800 pF @ 15 V (Transistor 1) V | | 宽度 | 4mm | | 工厂包装数量 | 2500 | | 晶体管极性 | N-Channel | | 连续漏极电流 | 6.9 A, 8.2 A | | 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow | | 零件号别名 | FDS6994S_NL | | 下降时间 | 4 ns, 17 ns | | 产品种类 | MOSFET | | 单位重量 | 0.006596 oz | | RoHS | RoHS Compliant | | 源极击穿电压 | +/- 16 V | | 系列 | FDS6994S | | RDS（ON） | 15 mOhms | | 安装风格 | SMD/SMT | | 功率耗散 | 2 W | | 上升时间 | 7 ns, 8 ns | | 漏源击穿电压 | 30 V | | 栅源电压（最大值） | �16 V | | 工作温度范围 | -55C to 150C | | 极性 | N | | 类型 | Power MOSFET | | 元件数 | 2 | | 工作温度分类 | Military | | 漏源导通电压 | 30 V | | 弧度硬化 | No |
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