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ZVN3306FTA产品详细规格

规格书	ZVN3306F
文档	SOT-23 Top
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	150mA
Rds（最大）@ ID，VGS	5 Ohm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	-
输入电容（Ciss）@ Vds的	35pF @ 18V
功率 - 最大	330mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3
包装材料	Tape & Reel (TR)
最大门源电压	±20
安装	Surface Mount
包装宽度	1.4(Max)
PCB	3
最大功率耗散	330
最大漏源电压	60
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	5000@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	SOT-23
标准包装名称	SOT-23
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	3.04(Max)
引脚数	3
通道模式	Enhancement
包装高度	1.02(Max)
最大连续漏极电流	0.15
封装	Tape and Reel
铅形状	Gull-wing
P（ TOT ）	0.33W
匹配代码	ZVN3306F
包装	SOT23
单位包	3000
标准的提前期	10 weeks
最小起订量	3000
极化	N-CHANNEL
无铅Defin	RoHS-conform
我（D ）	0.15A
V（ DS ）	60V
R（ DS上）	5Ohm
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	150mA (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.4V @ 1mA
供应商设备封装	SOT-23-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	5 Ohm @ 500mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	330mW
标准包装	3,000
漏极至源极电压（Vdss）	60V
输入电容（Ciss ） @ VDS	35pF @ 18V
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	ZVN3306FDKR
associated	ZVN3306F 631954

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