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STL16N65M5产品详细规格

规格书
文档	STL16N65M5 View All Specifications
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件	STL16N65M5 View All Specifications
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	650V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12A
Rds（最大）@ ID，VGS	299 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	31nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1250pF @ 100V
功率 - 最大	3W
安装类型	Surface Mount
包/盒	5-PowerFlat™ HV
供应商器件封装	PowerFLAT™ (8x8)
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	4Power Flat
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	650 V
最大连续漏极电流	12 A
RDS -于	299@10V mOhm
最大门源电压	±25 V
典型上升时间	7 ns
典型下降时间	6 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
FET特点	Standard
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	650V
供应商设备封装	PowerFlat™ (8x8) HV
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	299 mOhm @ 6A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	3W
输入电容（Ciss ） @ VDS	1250pF @ 100V
其他名称	497-12270-2
闸电荷（Qg ） @ VGS	31nC @ 10V
封装/外壳	4-PowerFlat™ HV
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
连续漏极电流	12 A
栅源电压（最大值）	�25 V
功率耗散	3 W
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	Power Flat
引脚数	4
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	650 V
弧度硬化	No
晶体管极性	:N Channel
Continuous Drain Current Id	:12A
Drain Source Voltage Vds	:650V
On Resistance Rds(on)	:0.270ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:4V
功耗	:90W
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:PowerFLAT
No. of Pins	:5
MSL	:MSL 3 - 168 hours
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Weight (kg)	0.03
Tariff No.	85412900

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