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二三极管  >  快恢复   >  IRF830PBF  

IRF830PBF
商品类别:
快恢复
封装/规格:
TO-220
产品价格:
¥2.60 元
品牌产地:
IR
数据手册:
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IRF830PBF产品详细规格

规格书IRF830PBF datasheet 规格书
IRF830PBF datasheet 规格书
Packaging Information
IRF830PBF
IRF830PBF datasheet 规格书
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装1,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C4.5A
Rds(最大)@ ID,VGS1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS38nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的610pF @ 25V
功率 - 最大74W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
通道模式Enhancement
最大漏源电压500 V
最大连续漏极电流4.5 A
RDS -于1500@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间8.2 ns
典型上升时间16 ns
典型关闭延迟时间42 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
标准包装Bulk
P( TOT )74W
匹配代码IRF830PBF
R( THJC )1.7K/W
LogicLevelNO
单位包50
标准的提前期14 weeks
最小起订量1000
Q(克)38nC
无铅DefinRoHS-conform
汽车NO
我(D )4.5A
V( DS )500V
技术HighV.
的RDS(on ) at10V1.5Ohm
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C4.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id4V @ 250µA
供应商设备封装TO-220AB
其他名称*IRF830PBF
开态Rds(最大)@ Id ,V GS1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大74W
漏极至源极电压(Vdss)500V
输入电容(Ciss ) @ VDS610pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS38nC @ 10V
封装/外壳TO-220-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
漏极电流(最大值)4.5 A
频率(最大)Not Required MHz
栅源电压(最大值)�20 V
输出功率(最大)Not Required W
功率耗散74 W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻1.5 ohm
工作温度范围-55C to 150C
包装类型TO-220AB
引脚数3 +Tab
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压500 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
连续漏极电流4.5 A
删除Compliant
晶体管极性:N Channel
Continuous Drain Current Id:4.5A
Drain Source Voltage Vds:500V
On Resistance Rds(on):1.5ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:4V
功耗:74W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220AB
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Current Id Max:4.5A
Junction to Case Thermal Resistance A:1.7°C/W
Pulse Current Idm:18A
端接类型:Through Hole
Voltage Vds Typ:500V
Voltage Vgs Max:20V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weight (kg)0.002
Tariff No.85412900


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