工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage	22 V, - 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V to 2.5 V
Qg - Gate Charge	6.5 nC
封装/外壳	PowerFLAT-5x6-8
类型	STripFET H5
下降时间	6 ns
封装	Reel
产品	Power MOSFET
品牌	STMicroelectronics
通道数	1 Channel
最高工作温度	+ 175 C
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	56 A
长度	6.6 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	9 mOhms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	14.2 ns
通道模式	Enhancement
系列	N-channel STripFET
身高	1 mm
安装风格	SMD/SMT
典型导通延迟时间	10.8 ns
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	62.5 W
上升时间	15.6 ns
技术	Si

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