规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2,500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	55V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	18A
Rds（最大）@ ID，VGS	69 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	11nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	643pF @ 25V
功率 - 最大	51W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	D-Pak
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3DPAK
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	55 V
最大连续漏极电流	18 A
RDS -于	69@10V mOhm
最大门源电压	15 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	47 ns
典型关闭延迟时间	28 ns
典型下降时间	33 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	15
包装宽度	6.22(Max)
PCB	2
最大功率耗散	51000
最大漏源电压	55
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	69@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	DPAK
标准包装名称	DPAK
最高工作温度	175
渠道类型	N
Package Length	6.73(Max)
引脚数	3
Package Height	2.38(Max)
最大连续漏极电流	18
封装	Tape and Reel
标签	Tab
铅形状	Gull-wing
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	18A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	2V @ 1mA
漏极至源极电压（Vdss）	55V
供应商设备封装	DPAK
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	69 mOhm @ 10A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	51W
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容（Ciss ） @ VDS	643pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	11nC @ 5V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	568-4284-6
工厂包装数量	2500
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 10 V
连续漏极电流	18 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	69 mOhms
功率耗散	51 W
最低工作温度	- 55 C
零件号别名	/T3 BUK9277-55A
上升时间	47 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	55 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	33 ns
栅源电压（最大值）	15 V
漏源导通电阻	0.069 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	DPAK
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	55 V
弧度硬化	No

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