规格书	NTZD3154N
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	4,000
FET 型	2 N-Channel (Dual)
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	540mA
Rds（最大）@ ID，VGS	550 mOhm @ 540mA, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id	1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	2.5nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	150pF @ 16V
功率 - 最大	250mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	SOT-563, SOT-666
供应商器件封装	SOT-563
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	6SOT-563
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	20 V
最大连续漏极电流	0.54 A
RDS -于	550@4.5V mOhm
最大门源电压	±6 V
典型导通延迟时间	6 ns
典型上升时间	4 ns
典型关闭延迟时间	16 ns
典型下降时间	8 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±6
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	SOT-563
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tape and Reel
最大漏源电阻	550@4.5V
最大漏源电压	20
每个芯片的元件数	2
供应商封装形式	SOT-563
最大功率耗散	250
最大连续漏极电流	0.54
引脚数	6
铅形状	Flat
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	540mA
的Vgs（th ） （最大）@ Id	1V @ 250µA
供应商设备封装	SOT-563
其他名称	NTZD3154NT1GOSTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	550 mOhm @ 540mA, 4.5V
FET型	2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大	250mW
漏极至源极电压（Vdss）	20V
输入电容（Ciss ） @ VDS	150pF @ 16V
闸电荷（Qg ） @ VGS	2.5nC @ 4.5V
封装/外壳	SOT-563, SOT-666
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Small Signal
配置	Dual Drain, Dual Gate, Dual Source
外形尺寸	1.7 x 1.3 x 0.6mm
身高	0.6mm
长度	1.7mm
最大漏源电阻	0.9 Ω
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	280 mW
最低工作温度	-55 °C
包装类型	SOT-563
典型栅极电荷@ VGS	1.5 nC @ 4.5 V
典型输入电容@ VDS	80 pF @ 16 V
宽度	1.3mm
工厂包装数量	4000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 6 V
连续漏极电流	540 mA
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	700 mOhms
功率耗散	0.25 W
封装/外壳	SOT-563
上升时间	4 ns
漏源击穿电压	20 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	4 ns
Continuous Drain Current Id	:540mA
Drain Source Voltage Vds	:20V
On Resistance Rds(on)	:550mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:4.5V
Threshold Voltage Vgs	:1V
No. of Pins	:6
Weight (kg)	0.002
Tariff No.	85412100
associated	80-4-5

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