文档	Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1,000
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	32G (4G x 8)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	100-VBGA
供应商器件封装	100-VBGA (12x18)
包装材料	Bulk
Tensione德alimentazione D esercizio最低标准	2.7
Organizzazione德尔blocco	Symmetrical
Confezione fornitore	VBGA
Tensione D esercizio TIPICA	3.3
Montaggio	Surface Mount
Numero di bit per parola	8
Tensione德alimentazione D esercizio massima	3.6
包装宽度	12
PCB	100
Densità	32G
NUMERO二假释	4G
符合UE	Compliant
TIPO二时机	Asynchronous
诺姆标准苏拉confezione	BGA
Temperatura desercizio minima	0
经conduttore	Ball
TIPO二内殿	SLC NAND
NUMERO DEI针	100
Ampiezza indirizzo bus	1
Architettura	Sectored
Corrente desercizio massima	50
包装长度	18
Blocco德尔启动	No
包装高度	0.63
TIPO二interfaccia	Parallel|Serial
Massima temperatura desercizio	70
Livello二筛查	Commercial
封装	Bulk
格式 - 存储器	FLASH
标准包装	1,000
供应商设备封装	100-VBGA (12x18)
内存类型	FLASH - NAND
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	32G (4G x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	100-VBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
地址总线	1 b
引导类型	Not Required
接口类型	Parallel/Serial
安装	Surface Mount
工作温度范围	0C to 70C
包装类型	VBGA
引脚数	100
密度	34359738368 Bit
字数	4G
字长	8 b
工作温度（最大）	70C
工作温度（最小值）	0C
同步/异步	Asynchronous
工作温度分类	Commercial
可编程	Yes
电源电流	50 mA
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V
工作电源电压（最小值）	2.7 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V

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