规格书	DMN2020UFCL
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
的Vgs（th ） （最大）@ Id	900mV @ 250µA
封装/外壳	6-UFDFN Exposed Pad
供应商设备封装	*
其他名称	DMN2020UFCL-7DITR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	14 mOhm @ 9A, 4.5V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	610mW
标准包装	3,000
漏极至源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	9A (Ta)
输入电容（Ciss ） @ VDS	1788pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS	21.5nC @ 4.5V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	0.9 V
Qg - Gate Charge	21.5 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
下降时间	6.8 ns
品牌	Diodes Incorporated
通道数	1 Channel
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	9 A
Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	33 ns
通道模式	Enhancement
系列	DMN2020
安装风格	SMD/SMT
最低工作温度	- 55 C
Pd - Power Dissipation	2 W
上升时间	5.7 ns
技术	Si

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