规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	5,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	22A
Rds（最大）@ ID，VGS	1.9 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	44nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2800pF @ 15V
功率 - 最大	2.1W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8TSDSON EP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	22 A
RDS -于	1.9@10V mOhm
最大门源电压	20 V
典型导通延迟时间	5.4 ns
典型上升时间	6.8 ns
典型关闭延迟时间	28 ns
典型下降时间	4.6 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
P（ TOT ）	69W
匹配代码	BSZ019N03LS
R（ THJC ）	1.8K/W
LogicLevel	YES
单位包	5000
标准的提前期	21 weeks
最小起订量	5000
Q（克）	8nC
LLRDS （上）	0.0026Ohm
汽车	NO
LLRDS （上）在	4.5V
我（D ）	40A
V（ DS ）	30V
技术	OptiMOS
的RDS（on ） at10V	0.0019Ohm
无铅Defin	RoHS-conform
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	22A (Ta). 40A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	2V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	30V
供应商设备封装	PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	1.9 mOhm @ 20A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	2.1W
输入电容（Ciss ） @ VDS	2800pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS	44nC @ 10V
封装/外壳	8-PowerTDFN
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	BSZ019N03LSCT
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	40 A
封装/外壳	TDSON-8
零件号别名	BSZ019N03LSATMA1 SP000792362
下降时间	4.6 ns
安装风格	SMD/SMT
商品名	OptiMOS
配置	Single Quad Drain
最高工作温度	+ 150 C
正向跨导 - 闵	140 S
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 20 V
系列	BSZ019N03
RDS（ON）	1.9 mOhms
功率耗散	69 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	6.8 ns
漏源击穿电压	30 V
栅极电荷Qg	44 nC

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