规格书	MUN5135DW1, NSBA123JDxx
文档	Copper Wire 08/Jun/2009
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Wire Change 08/Jun/2009
标准包装	3,000
晶体管类型	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极电流（Ic）（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
电阻 - 基地（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）	47k
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	80 @ 5mA, 10V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）	500nA
频率转换	-
功率 - 最大	250mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装	SOT-363
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	6SC-88
配置	Dual
类型	PNP
最大集电极发射极电压	50 V
峰值直流集电极电流	100 mA
最小直流电流增益	80@5mA@10V
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
供应商封装形式	SC-88
标准包装名称	SOT-23
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
典型输入电阻	2.2
引脚数	6
封装	Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压	0.25@0.3mA@10mA
最大功率耗散	385
Maximum Continuous DC Collector Current	100
最大集电极发射极电压	50
典型电阻器比率	0.047
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
晶体管类型	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）	2.2k
电流 - 集电极截止（最大）	500nA
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
供应商设备封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）	47k
功率 - 最大	250mW
封装/外壳	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型	Surface Mount
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	80 @ 5mA, 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	3000
产品种类	Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性	PNP
典型输入电阻	2.2 KOhms
直流集电极/增益hfe最小值	80 at 5 mA at 10 V
安装风格	SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO	50 V
功率耗散	250 mW
最低工作温度	- 55 C
连续集电极电流	- 0.1 A
最高工作温度	+ 150 C
RoHS	RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压	50 V
包装类型	SC-88
直流电流增益（最小值）	80
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
直流电流增益	80

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