BSC076N06NS3 G产品详细规格
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规格书
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BSC076N06NS3 G
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Rohs
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装
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5,000
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FET 型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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FET特点
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Standard
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漏极至源极电压（VDSS）
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60V
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电流-连续漏极（编号）@ 25°C
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50A
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Rds（最大）@ ID，VGS
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7.6 mOhm @ 50A, 10V
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VGS（TH）（最大）@ Id
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4V @ 35µA
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栅极电荷（Qg）@ VGS
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50nC @ 10V
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输入电容（Ciss）@ Vds的
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4000pF @ 30V
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功率 - 最大
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69W
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安装类型
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Surface Mount
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包/盒
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8-PowerTDFN
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供应商器件封装
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PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
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包装材料
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Tape & Reel (TR)
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包装
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8TDSON EP
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通道模式
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Enhancement
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最大漏源电压
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60 V
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最大连续漏极电流
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50 A
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RDS -于
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7.6@10V mOhm
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最大门源电压
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±20 V
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典型导通延迟时间
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15 ns
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典型上升时间
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40 ns
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典型关闭延迟时间
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20 ns
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典型下降时间
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5 ns
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工作温度
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-55 to 150 °C
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安装
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Surface Mount
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标准包装
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Tape & Reel
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P（ TOT ）
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69W
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匹配代码
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BSC076N06NS3 G
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R（ THJC ）
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1.8K/W
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LogicLevel
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NO
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单位包
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5000
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标准的提前期
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22 weeks
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最小起订量
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5000
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Q（克）
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50nC
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LLRDS （上）
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n.s.Ohm
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汽车
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NO
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LLRDS （上）在
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n.s.V
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我（D ）
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50A
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V（ DS ）
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60V
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技术
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OptiMOS3
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的RDS（on ） at10V
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0.0076Ohm
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无铅Defin
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RoHS-conform
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FET特点
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Standard
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封装
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Tape & Reel (TR)
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安装类型
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Surface Mount
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电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C
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50A
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的Vgs（th ） （最大）@ Id
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4V @ 35µA
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漏极至源极电压（Vdss）
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60V
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供应商设备封装
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PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
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开态Rds（最大）@ Id ，V GS
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7.6 mOhm @ 50A, 10V
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FET型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大
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69W
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输入电容（Ciss ） @ VDS
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4000pF @ 30V
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闸电荷（Qg ） @ VGS
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50nC @ 10V
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封装/外壳
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8-PowerTDFN
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RoHS指令
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Lead free / RoHS Compliant
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其他名称
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BSC076N06NS3 GCT
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电子元器件专业配套 配套范围内：
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