SI4470EY-T1-E3产品详细规格
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规格书
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SI4470EY
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Rohs
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装
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2,500
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FET 型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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FET特点
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Logic Level Gate
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漏极至源极电压(VDSS)
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60V
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电流-连续漏极(编号)@ 25°C
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9A
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Rds(最大)@ ID,VGS
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11 mOhm @ 12A, 10V
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VGS(TH)(最大)@ Id
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2V @ 250µA
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栅极电荷(Qg)@ VGS
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57nC @ 10V
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输入电容(Ciss)@ Vds的
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-
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功率 - 最大
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1.85W
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安装类型
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Surface Mount
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包/盒
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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供应商器件封装
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8-SOICN
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包装材料
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Tape & Reel (TR)
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包装
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8SOIC N
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通道模式
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Enhancement
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最大漏源电压
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60 V
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最大连续漏极电流
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9 A
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RDS -于
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11@10V mOhm
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最大门源电压
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±20 V
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典型导通延迟时间
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16 ns
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典型上升时间
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12 ns
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典型关闭延迟时间
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50 ns
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典型下降时间
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30 ns
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工作温度
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-55 to 175 °C
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安装
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Surface Mount
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标准包装
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Tape & Reel
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最大门源电压
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±20
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包装宽度
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4(Max)
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PCB
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8
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最大功率耗散
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1850
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最大漏源电压
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60
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欧盟RoHS指令
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Compliant
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最大漏源电阻
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11@10V
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每个芯片的元件数
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1
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最低工作温度
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-55
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供应商封装形式
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SOIC N
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标准包装名称
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SOIC
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最高工作温度
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175
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渠道类型
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N
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包装长度
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5(Max)
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引脚数
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8
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包装高度
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1.55(Max)
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最大连续漏极电流
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9
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封装
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Tape and Reel
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铅形状
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Gull-wing
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单位包
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0
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最小起订量
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1
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FET特点
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Logic Level Gate
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安装类型
|
Surface Mount
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电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C
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9A (Ta)
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的Vgs(th ) (最大)@ Id
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2V @ 250µA
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漏极至源极电压(Vdss)
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60V
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供应商设备封装
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8-SOIC N
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开态Rds(最大)@ Id ,V GS
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11 mOhm @ 12A, 10V
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FET型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大
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1.85W
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封装/外壳
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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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其他名称
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SI4470EY-T1-E3TR
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闸电荷(Qg ) @ VGS
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57nC @ 10V
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RoHS指令
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Lead free / RoHS Compliant
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晶体管极性
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:N Channel
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Continuous Drain Current Id
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:12.7A
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Drain Source Voltage Vds
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:60V
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On Resistance Rds(on)
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:13mohm
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Rds(on) Test Voltage Vgs
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:10V
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Threshold Voltage Vgs
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:2V
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功耗
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:1.85W
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Operating Temperature Min
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:-55°C
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Operating Temperature Max
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:175°C
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Transistor Case Style
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:SOIC
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No. of Pins
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:8
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MSL
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:MSL 1 - Unlimited
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Current Id Max
|
:12.7A
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工作温度范围
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:-55°C to +175°C
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Voltage Vds Typ
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:60V
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Voltage Vgs Max
|
:2V
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Weight (kg)
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0.000001
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Tariff No.
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85412100
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associated
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RE932-01
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电子元器件专业配套 配套范围内:
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