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二三极管  >  开关二极管   >  SQJ858AEP-T1-GE3  

SQJ858AEP-T1-GE3
商品类别:
开关二极管
封装/规格:
TO-252
产品价格:
¥99.00 元
品牌产地:
VISHAY
数据手册:
暂无手册资料
 
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SQJ858AEP-T1-GE3产品详细规格

规格书 SQJ858AEP-T1-GE3
SQJ858AEP-T1-GE3 datasheet 规格书
单位包 3000
最小起订量 3000
FET特点 Logic Level Gate
封装 *
安装类型 *
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 58A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
标准包装 3,000
供应商设备封装 *
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 6.3 mOhm @ 14A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 48W
封装/外壳 *
输入电容(Ciss ) @ VDS 2450pF @ 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 55nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :58A
Drain Source Voltage Vds :40V
On Resistance Rds(on) :0.005ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2V
功耗 :48W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :PowerPAK SO
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900


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2N7002
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