规格书	IXF(K,X)140N30P
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	25
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	300V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	140A
Rds（最大）@ ID，VGS	24 mOhm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 8mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	185nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	14800pF @ 25V
功率 - 最大	1040W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-264-3, TO-264AA
供应商器件封装	TO-264
包装材料	Tube
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
包装宽度	5.31(Max)
通道模式	Enhancement
最低工作温度	-55
包装高度	26.59(Max)
安装	Through Hole
最大功率耗散	1040000
渠道类型	N
最大漏源电阻	24@10V
最大漏源电压	300
每个芯片的元件数	1
标签	Tab
供应商封装形式	TO-264
包装长度	20.29(Max)
PCB	3
最大连续漏极电流	140
引脚数	3
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	140A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	5V @ 8mA
漏极至源极电压（Vdss）	300V
供应商设备封装	TO-264
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	24 mOhm @ 70A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1040W
标准包装	25
输入电容（Ciss ） @ VDS	14800pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	185nC @ 10V
封装/外壳	TO-264-3, TO-264AA
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	25
配置	Single
晶体管极性	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	140 A
系列	IXFK140N30
单位重量	0.352740 oz
RDS（ON）	24 mOhms
功率耗散	1040 W
安装风格	Through Hole
封装/外壳	TO-264
典型关闭延迟时间	100 ns
上升时间	30 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	300 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	20 ns

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