IPD90N04S3-04产品详细规格
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规格书
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Rohs
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Lead free / RoHS Compliant
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标准包装
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2,500
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FET 型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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FET特点
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Standard
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漏极至源极电压（VDSS）
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40V
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电流-连续漏极（编号）@ 25°C
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90A
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Rds（最大）@ ID，VGS
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3.6 mOhm @ 80A, 10V
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VGS（TH）（最大）@ Id
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4V @ 90µA
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栅极电荷（Qg）@ VGS
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80nC @ 10V
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输入电容（Ciss）@ Vds的
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5200pF @ 25V
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功率 - 最大
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136W
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安装类型
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Surface Mount
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包/盒
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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供应商器件封装
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PG-TO252-3
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包装材料
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Tape & Reel (TR)
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包装
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3TO-252
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通道模式
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Enhancement
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最大漏源电压
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40 V
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最大连续漏极电流
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90 A
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RDS -于
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3.6@10V mOhm
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最大门源电压
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±20 V
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典型导通延迟时间
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20 ns
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典型上升时间
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13 ns
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典型关闭延迟时间
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30 ns
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典型下降时间
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10 ns
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工作温度
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-55 to 175 °C
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安装
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Surface Mount
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标准包装
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Tape & Reel
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P（ TOT ）
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136W
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匹配代码
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IPD90N04S3-04
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R（ THJC ）
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1.1K/W
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LogicLevel
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NO
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单位包
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2500
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标准的提前期
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22 weeks
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最小起订量
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2500
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Q（克）
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80nC
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LLRDS （上）
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n.s.Ohm
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汽车
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AEC-Q(100)
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LLRDS （上）在
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n.s.V
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我（D ）
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90A
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V（ DS ）
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40V
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技术
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OptiMOS
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的RDS（on ） at10V
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0.0036Ohm
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无铅Defin
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RoHS-conform
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FET特点
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Standard
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封装
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Tape & Reel (TR)
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安装类型
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Surface Mount
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电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C
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90A (Tc)
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的Vgs（th ） （最大）@ Id
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4V @ 90µA
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漏极至源极电压（Vdss）
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40V
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供应商设备封装
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PG-TO252-3
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开态Rds（最大）@ Id ，V GS
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3.6 mOhm @ 80A, 10V
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FET型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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功率 - 最大
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136W
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输入电容（Ciss ） @ VDS
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5200pF @ 25V
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闸电荷（Qg ） @ VGS
|
80nC @ 10V
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封装/外壳
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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RoHS指令
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Lead free / RoHS Compliant
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其他名称
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IPD90N04S3-04CT
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类别
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Power MOSFET
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渠道类型
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N
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外形尺寸
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6.5 x 6.22 x 2.3mm
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身高
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2.3mm
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长度
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6.5mm
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最大漏源电阻
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3.6 mΩ
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最高工作温度
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+175 °C
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最大功率耗散
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136 W
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最低工作温度
|
-55 °C
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每个芯片的元件数
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1
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包装类型
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PG-TO-252-3-11
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引脚数
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3
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典型栅极电荷@ VGS
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60 nC V @ 10
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典型输入电容@ VDS
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4000 pF V @ 25
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宽度
|
6.22mm
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安装风格
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SMD/SMT
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产品种类
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MOSFET
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晶体管极性
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N-Channel
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配置
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Single
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源极击穿电压
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+/- 20 V
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连续漏极电流
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90 A
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系列
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xPD90N04
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RDS（ON）
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3.8 mOhms
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功率耗散
|
136 W
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封装/外壳
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TO-252
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零件号别名
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IPD90N04S304ATMA1 SP000261222
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上升时间
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13 ns
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漏源击穿电压
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40 V
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RoHS
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RoHS Compliant
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下降时间
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10 ns
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电子元器件专业配套 配套范围内：
集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
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