规格书
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	800
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	75A
Rds（最大）@ ID，VGS	5.2 mOhm @ 25A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	52nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3789pF @ 25V
功率 - 最大	203W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3D2PAK
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	40 V
最大连续漏极电流	143 A
RDS -于	5.2@10V mOhm
最大门源电压	20 V
典型导通延迟时间	15 ns
典型上升时间	51 ns
典型关闭延迟时间	81 ns
典型下降时间	56 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
FET特点	Standard
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	75A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 1mA
漏极至源极电压（Vdss）	40V
供应商设备封装	D2PAK
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	5.2 mOhm @ 25A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	203W
输入电容（Ciss ） @ VDS	3789pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	52nC @ 10V
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	568-5856-1
工厂包装数量	800
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	143 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	5.2 mOhms
功率耗散	203 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	SOT-404
零件号别名	/T3 BUK765R2-40B
上升时间	51 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	40 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	56 ns
栅源电压（最大值）	20 V
漏源导通电阻	0.0052 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	D2PAK
引脚数	2 +Tab
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	40 V
弧度硬化	No

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