规格书
文档	Glue Mount Process 11/July/2008 Gold to Copper Wire 14/Oct/2008
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Wire Change 14/Oct/2008
标准包装	3,000
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
- 集电极电流（Ic）（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
电阻 - 基地（R1）（欧姆）	10k
电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）	10k
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	35 @ 5mA, 10V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）	500nA
频率转换	-
功率 - 最大	246mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3 (TO-236)
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3SOT-23
配置	Single
类型	NPN
最大集电极发射极电压	50 V
峰值直流集电极电流	100 mA
最小直流电流增益	35@5mA@10V
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
供应商封装形式	SOT-23
标准包装名称	SOT-23
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
典型输入电阻	10
引脚数	3
封装	Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压	0.25@0.3mA@10mA
最大功率耗散	400
Maximum Continuous DC Collector Current	100
最大集电极发射极电压	50
典型电阻器比率	1
铅形状	Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）	10k
电流 - 集电极截止（最大）	500nA
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
供应商设备封装	SOT-23-3 (TO-236)
电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）	10k
功率 - 最大	246mW
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型	Surface Mount
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	35 @ 5mA, 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	MMUN2211LT1GOSCT
外形尺寸	2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高	0.94mm
长度	2.9mm
最大集电极发射极饱和电压	0.25 V
最大连续集电极电流	100 mA
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
包装类型	SOT-23
典型输入电阻	10 kΩ
宽度	1.3mm
工厂包装数量	3000
产品种类	Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性	NPN
直流集电极/增益hfe最小值	35, 60
安装风格	SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO	50 V
功率耗散	246 mW
连续集电极电流	0.1 A
RoHS	RoHS Compliant
集电极 - 发射极电压	50 V
直流电流增益（最小值）	35
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
删除	Compliant
直流电流增益	35
Collector Emitter Voltage V(br)ceo	:50V
Continuous Collector Current Ic	:100mA
Base Input Resistor R1	:10kohm
Base-Emitter Resistor R2	:10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2	:1
RF Transistor Case	:SOT-23
No. of Pins	:3
SVHC	:No SVHC (16-Dec-2013)
MSL	:MSL 1 - Unlimited
Weight (kg)	0.000033
Tariff No.	85412900
功耗	:246mW
DC Collector Current	:100mA
DC Current Gain hFE	:60
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:SOT-23
Collector Emitter Voltage Vces	:250mV
Current Ic Continuous a Max	:100mA
Current Ic hFE	:5mA
Hfe Min	:35
No. of Transistors	:1
引脚配置	:1
Power Dissipation Ptot Max	:200mW
Resistance R1	:10kohm
Resistance R2	:10kohm
SMD Marking	:A8A
Voltage Vcbo	:50V
associated	PDTC114ET MMUN2211LT1G MC33260 120-5. 3209885-M RE906

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