规格书	DMG7401SFG
标准包装	2,000
FET 型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	9.8A
Rds（最大）@ ID，VGS	11 mOhm @ 12A, 20V
VGS（TH）（最大）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	58nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2987pF @ 15V
功率 - 最大	940mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-PowerWDFN
供应商器件封装	PowerDI3333-8
包装材料	Tape & Reel (TR)
动态目录	P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16481?mpart=DMG7401SFG-7&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
单位包	2000
最小起订量	2000
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	9.8A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	3V @ 250µA
封装/外壳	8-PowerWDFN
供应商设备封装	PowerDI3333-8
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	11 mOhm @ 12A, 20V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	940mW
标准包装	2,000
漏极至源极电压（Vdss）	30V
输入电容（Ciss ） @ VDS	2987pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS	58nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	DMG7401SFG-7DICT
RoHS	RoHS Compliant
连续漏极电流	9.8 A
栅源电压（最大值）	?25 V
功率耗散	2.2 W
安装	Surface Mount
工作温度范围	-55C to 150C
引脚数	8
极性	P
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
通道模式	Enhancement
漏源导通电压	30 V
弧度硬化	No

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