规格书	BUZ 30A H
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	21A
Rds（最大）@ ID，VGS	130 mOhm @ 13.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	-
输入电容（Ciss）@ Vds的	1900pF @ 25V
功率 - 最大	125W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	PG-TO220-3
包装材料	Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	21A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 1mA
漏极至源极电压（Vdss）	200V
标准包装	500
供应商设备封装	PG-TO220-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	130 mOhm @ 13.5A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	125W
封装/外壳	TO-220-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	1900pF @ 25V
安装风格	Through Hole
晶体管极性	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	21 A
系列	BUZ30
RDS（ON）	130 mOhms
功率耗散	125 W
商品名	OptiMOS
零件号别名	BUZ30AHXKSA1 SP000682990
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	200 V
RoHS	RoHS Compliant

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